一種單晶生長用半導(dǎo)體石墨熱場

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120171881.9 申請日 -
公開（公告）號 CN214300461U 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN214300461U 申請公布日 2021-09-28
分類號 C30B15/14（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 尹朝潔 申請（專利權(quán)）人 安徽弘朗炭科技有限公司
代理機構(gòu) 滄州市宏科專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 喻慧玲
地址 242081安徽省宣城市宣州區(qū)工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及石墨熱場的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種單晶生長用半導(dǎo)體石墨熱場，其提高清理的便利性，節(jié)省人力和時間，提高效率；包括底座、四組支腿、石墨熱場下部、石墨熱場上部、保溫加熱箱、坩堝、籽晶、兩組固定架、兩組絲杠和兩組直角轉(zhuǎn)向器，底座底端和四組支腿頂端固定連接，石墨熱場下部固定安裝在底座頂端，石墨熱場上部底端和石墨熱場下部頂端可卡裝，保溫加熱箱固定安裝在石墨熱場下部內(nèi)，坩堝底端設(shè)有坩堝座，坩堝座固定安裝在保溫加熱箱內(nèi)，坩堝頂端設(shè)有單晶棒，石墨熱場上部頂端設(shè)有連接腔，籽晶位于連接腔內(nèi)，單晶棒頂端活動穿過石墨熱場上部頂端并與籽晶底端固定連接，兩組固定架分別固定安裝在石墨熱場上部的左右兩側(cè)。