超低光損耗的光纖熔接方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310530943.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103529517B 公開（公告）日 2016-03-16
申請公布號 CN103529517B 申請公布日 2016-03-16
分類號 G02B6/255(2006.01)I 分類 光學;
發(fā)明人 周勝;趙青春 申請（專利權）人 蘇州華旭醫(yī)療科技有限公司
代理機構 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 項麗
地址 528225 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)南海軟件科技園信息大道（研發(fā)樓B棟）二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種超低光損耗的光纖熔接方法，它包括以下步驟：（a）預處理：熱剝除法去除涂覆層；（b）顯微測量：得到光纖的纖芯和內包層重心的偏移量和偏移方向；（c）研磨：沿著纖芯和內包層重心連線方向對光纖內包層進行研磨；（d）對準熔接四個步驟，其利用顯微測量得到光纖的纖芯和內包層重心的偏移量和偏移方向，從而對其中一根光纖的內包層進行研磨，確保內包層重心和纖芯同時對準，使得光纖熔接后纖芯仍然保持精確的對準狀態(tài)，有效地降低了該熔接點的光損耗、光散射、光反射和光吸收引起的發(fā)熱，提高了該熔接點的光學連續(xù)性，從而降低對該熔接點封裝散熱的要求，減小了對光纖激光器系統(tǒng)中的其它光元件的潛在損壞威脅。