超低光損耗的光纖熔接方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201310530943.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103529517B | 公開(公告)日 | 2016-03-16 |
申請公布號 | CN103529517B | 申請公布日 | 2016-03-16 |
分類號 | G02B6/255(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 周勝;趙青春 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州華旭醫(yī)療科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 項麗 |
地址 | 528225 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)南海軟件科技園信息大道(研發(fā)樓B棟)二層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種超低光損耗的光纖熔接方法,它包括以下步驟:(a)預(yù)處理:熱剝除法去除涂覆層;(b)顯微測量:得到光纖的纖芯和內(nèi)包層重心的偏移量和偏移方向;(c)研磨:沿著纖芯和內(nèi)包層重心連線方向?qū)饫w內(nèi)包層進行研磨;(d)對準(zhǔn)熔接四個步驟,其利用顯微測量得到光纖的纖芯和內(nèi)包層重心的偏移量和偏移方向,從而對其中一根光纖的內(nèi)包層進行研磨,確保內(nèi)包層重心和纖芯同時對準(zhǔn),使得光纖熔接后纖芯仍然保持精確的對準(zhǔn)狀態(tài),有效地降低了該熔接點的光損耗、光散射、光反射和光吸收引起的發(fā)熱,提高了該熔接點的光學(xué)連續(xù)性,從而降低對該熔接點封裝散熱的要求,減小了對光纖激光器系統(tǒng)中的其它光元件的潛在損壞威脅。 |
