一種集成MIM電容器的背金工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910622788.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110459534A | 公開(公告)日 | 2019-11-15 |
申請公布號 | CN110459534A | 申請公布日 | 2019-11-15 |
分類號 | H01L23/64;H01L27/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 戴世元 | 申請(專利權(quán))人 | 南通沃特光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 226300江蘇省南通市高新區(qū)世紀(jì)大道266號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種集成MIM電容器的背金工藝,在襯底開槽填充的方式形成高k材料層,然后進(jìn)行蝕刻填充形成叉指狀金屬柱,可以實(shí)現(xiàn)電容值的增大,且得到了Q值較高的垂直型MIM電容器結(jié)構(gòu);本發(fā)明還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了集成電路和MIM電容器的背金工藝,實(shí)現(xiàn)了雙面電極的引出,便于后續(xù)封裝。 |
