一種集成MIM電容器的背金工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910622788.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110459534A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-11-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110459534A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-11-15 |
| 分類號(hào) | H01L23/64;H01L27/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 戴世元 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南通沃特光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226300江蘇省南通市高新區(qū)世紀(jì)大道266號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種集成MIM電容器的背金工藝，在襯底開(kāi)槽填充的方式形成高k材料層，然后進(jìn)行蝕刻填充形成叉指狀金屬柱，可以實(shí)現(xiàn)電容值的增大，且得到了Q值較高的垂直型MIM電容器結(jié)構(gòu)；本發(fā)明還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了集成電路和MIM電容器的背金工藝，實(shí)現(xiàn)了雙面電極的引出，便于后續(xù)封裝。 |
