一種提高發(fā)光二極管出光效率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410255491.4 申請日 -
公開（公告）號 CN104037273A 公開（公告）日 2014-09-10
申請公布號 CN104037273A 申請公布日 2014-09-10
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廉鵬 申請（專利權(quán)）人 北京太時芯光科技有限公司
代理機構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京太時芯光科技有限公司
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)地澤北街一號一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種提高發(fā)光二極管出光效率的方法，包含以下步驟：第一次外延生長在襯底上自下而上依次形成緩沖層、布拉格反射器、下包覆層、發(fā)光層和上包覆層；在上包覆層上進(jìn)行ICP干法刻蝕形成局部摻雜突變區(qū)；第二次外延生長形成外延窗口層；減薄襯底，蒸鍍Au/BeAu/Au和GeAu/Au，將半切所得結(jié)構(gòu)放入通有濕氧或者濕氮的氧化爐中氧化布拉格反射器形成布拉格反射器氧化區(qū)；通過切割方式形成獨立芯片。本發(fā)明通過在電極下方通過外延手段制作局部摻雜突變區(qū)，減少載流子在電極正下方復(fù)合，同時結(jié)合氧化布拉格反射器外圍區(qū)域，使發(fā)光二極管的出光效率得到了有效提高。