一種四元發(fā)光二極管
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201120146903.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN202308026U | 公開(公告)日 | 2012-07-04 |
申請公布號 | CN202308026U | 申請公布日 | 2012-07-04 |
分類號 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 黃光輝;陳志潮;董耀盡;王駿;時偉;張敬偉 | 申請(專利權)人 | 北京太時芯光科技有限公司 |
代理機構 | 北京思海天達知識產權代理有限公司 | 代理人 | 北京太時芯光科技有限公司 |
地址 | 100176 北京市大興區(qū)北京經濟開發(fā)區(qū)地澤北街1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種四元發(fā)光二極管,涉及一種半導體發(fā)光二極管及制作方法,屬于半導體光電子技術領域。其包括自下而上的襯底1、緩沖層2、布拉格反射器3、下包覆層4、活性層5、上包覆層6,其在上包覆層6與電極相對的位置制作有電流阻擋層7,在電流阻擋層7的表面生長有外延窗口層8,電流阻擋層上安裝有電極9;所述的布拉格反射器3為反射系數較含鋁層高的含氧化鋁層。本實用新型在外延層表面制作與電極對應的電流阻擋區(qū)域,減少亮度損失,同時結合濕氧化工藝優(yōu)化外延層材料性質,大幅度提高出光效率,從而得到一種優(yōu)化結構的復合增亮的發(fā)光二極管。 |
