一種四元發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420308163.1 申請日 -
公開（公告）號 CN203932092U 公開（公告）日 2014-11-05
申請公布號 CN203932092U 申請公布日 2014-11-05
分類號 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜曉東 申請（專利權(quán)）人 北京太時芯光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京太時芯光科技有限公司;馬鞍山太時芯光科技有限公司
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)地澤北街一號一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提出了一種四元發(fā)光二極管，自下而上依次包括襯底、緩沖層、布拉格反射器、下包覆層、發(fā)光層、上包覆層、局部摻雜突變區(qū)、外延窗口層、上電極和下電極，局部摻雜突變區(qū)位于上電極的正下方，在襯底上通過第一次外延生長依次形成緩沖層、布拉格反射器、下包覆層、發(fā)光層和上包覆層，通過第二次外延生長形成外延窗口層。本實(shí)用新型通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，不僅是在電極下方通過外延手段制作的局部摻雜突變區(qū)，減少載流子在電極正下方復(fù)合，同時結(jié)合氧化布拉格反射器外圍區(qū)域，使發(fā)光二極管的出光效率得到了有效提高。