一種提高發(fā)光器件芯片出光效率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410049596.4 申請日 -
公開（公告）號 CN103811599A 公開（公告）日 2014-05-21
申請公布號 CN103811599A 申請公布日 2014-05-21
分類號 H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廉鵬;杜曉東;李春偉 申請（專利權）人 北京太時芯光科技有限公司
代理機構 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 北京太時芯光科技有限公司
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)地澤北街一號一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種提高發(fā)光器件芯片出光效率的方法，包括如下步驟：GaAs襯底依次外延生長預置轉換層、外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；利用腐蝕液腐蝕預置轉換層，通過機械牽引的方式整體分離外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；將整體分離后獲得的外延層N區(qū)經(jīng)過表面處理步驟之后，通過第二鍵合介質結合透明襯底；經(jīng)過光刻、蒸鍍和剝離三個操作，或經(jīng)過蒸鍍、光刻和刻蝕分別在外延層N區(qū)和外延層P區(qū)形成N面電極和P面電極。本發(fā)明的GaAs襯底的晶格結構能夠滿足外延生長的需要，又能夠轉換為透明襯底提高芯片的整體出光效率；同時GaAs襯底可以重復利用，降低生產(chǎn)成本，使得其具有明顯的技術先進性和良好的經(jīng)濟效益。