一種無(wú)砷化制造發(fā)光器件芯片的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410049588.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103811616A 公開(kāi)（公告）日 2014-05-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN103811616A 申請(qǐng)公布日 2014-05-21
分類(lèi)號(hào) H01L33/30(2010.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 廉鵬;杜曉東;李春偉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京太時(shí)芯光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭自群
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)地澤北街一號(hào)一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種無(wú)砷化制造發(fā)光器件芯片的方法，包括如下步驟：生長(zhǎng)襯底依次外延生長(zhǎng)預(yù)置轉(zhuǎn)換層、外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；利用腐蝕液腐蝕預(yù)置轉(zhuǎn)換層，通過(guò)機(jī)械牽引的方式整體分離外延層N區(qū)、有源區(qū)和外延層P區(qū)；將整體分離后獲得的外延層N區(qū)經(jīng)過(guò)表面處理步驟之后，通過(guò)第二鍵合介質(zhì)結(jié)合功能襯底；經(jīng)過(guò)光刻、蒸鍍和剝離，或經(jīng)過(guò)蒸鍍、光刻和刻蝕分別在外延層N區(qū)和外延層P區(qū)形成N面電極和P面電極。本發(fā)明的生長(zhǎng)襯底的As不會(huì)帶入發(fā)光器件制備的后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本，同時(shí)生長(zhǎng)襯底可以重復(fù)利用，降低生產(chǎn)成本，使得其具有明顯的技術(shù)先進(jìn)性和良好的經(jīng)濟(jì)效益。