一種發(fā)光器件芯片及其制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201410049590.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103811604A | 公開(公告)日 | 2014-05-21 |
申請公布號 | CN103811604A | 申請公布日 | 2014-05-21 |
分類號 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 廉鵬 | 申請(專利權(quán))人 | 北京太時芯光科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 北京太時芯光科技有限公司 |
地址 | 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)地澤北街一號一層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提出了一種發(fā)光器件芯片及其制造方法,其中一種發(fā)光器件芯片包括:自下而上依次為透明襯底、外延層N區(qū)、N面電極、有源區(qū)、外延層P區(qū)和P面電極,所述透明襯底通過第二鍵合介質(zhì)與所述外延層N層結(jié)合,所述透明襯底通過生長襯底的轉(zhuǎn)換方式形成。本發(fā)明的生長襯底的As不會帶入發(fā)光器件制備的后續(xù)工藝流程,降低工業(yè)廢水的污染治理成本;透明襯底對光沒有吸收性,能夠降低發(fā)光損耗,增加發(fā)光器件芯片的整體出光效率;同時生長襯底可以重復(fù)利用,降低生產(chǎn)成本,使得其具有明顯的技術(shù)先進性和良好的經(jīng)濟效益。 |
