一種提高發(fā)光二極管芯片可焊性的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410256865.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104037289B 公開（公告）日 2017-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN104037289B 申請(qǐng)公布日 2017-03-08
分類號(hào) H01L33/14(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廉鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京太時(shí)芯光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭自群
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)地澤北街一號(hào)一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種提高發(fā)光二極管芯片可焊性的方法，包含以下步驟：第一次外延生長(zhǎng)在襯底上自下而上依次形成緩沖層、布拉格反射器、下包覆層、發(fā)光層和上包覆層；在上包覆層上進(jìn)行ICP干法刻蝕形成局部摻雜突變區(qū)；第二次外延生長(zhǎng)形成外延窗口層；蒸鍍Au/BeAu/Au和GeAu/Au，通過切割方式形成獨(dú)立芯片。本發(fā)明在電極下方通過外延手段制作的局部摻雜突變區(qū)，減少載流子在電極正下方復(fù)合，同時(shí)結(jié)合氧化布拉格反射器外圍區(qū)域，使發(fā)光二極管芯片的可焊性得到了有效提高。