一種高矯頑力釹鐵硼磁體的晶界擴(kuò)散方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110775712.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113593880A 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號(hào) CN113593880A 申請公布日 2021-11-02
分類號(hào) H01F41/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李斌;韓幸奇;童正鐘;尤晨晨;何進(jìn) 申請（專利權(quán)）人 安徽萬磁電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥正則元起專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 匡立嶺
地址 230000安徽省合肥市廬江縣石頭鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高矯頑力釹鐵硼磁體的晶界擴(kuò)散方法，屬于稀土永磁材料技術(shù)領(lǐng)域，該晶界擴(kuò)散方法包括如下步驟：步驟一：由重稀土化合物粉末、納米非稀土金屬粉、有機(jī)溶劑、偶聯(lián)劑以及勻質(zhì)劑制成懸濁液；步驟二：對釹鐵硼磁體表面進(jìn)行處理；步驟三：加溫噴涂；步驟四：燒結(jié)；本發(fā)明使用晶界擴(kuò)散工藝，顯著提高了磁體的矯頑力，同時(shí)磁體的剩磁無明顯下降，提高了重稀土的利用率，節(jié)約大量的重稀土資源，本發(fā)明使用重稀土元素?非稀土金屬晶界擴(kuò)散方法可以使晶界擴(kuò)散效果更好，矯頑力提升更為明顯，磁體的抗老化能力更強(qiáng)，對高性能釹鐵硼的生產(chǎn)具有重大意義。