一種深槽超結(jié)MOSFET功率器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111018751.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113838937A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113838937A 申請(qǐng)公布日 2021-12-24
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王欽;李海松;陳飛鷺;易揚(yáng)波 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 無(wú)錫芯朋微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇科專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 代理人 姚姣陽(yáng)
地址 214000江蘇省無(wú)錫市無(wú)錫新區(qū)龍山路4號(hào)C幢1301-1304
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種深槽超結(jié)MOSFET功率器件，包括由下至上按序依次設(shè)置的漏極電極、襯底、外延層、體區(qū)、源區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)以及源極電極，外延層中刻蝕形成有多個(gè)溝槽，多個(gè)溝槽間互不連通且均沿垂直方向設(shè)置，溝槽的側(cè)壁與水平面間的夾角范圍為80°~90°，溝槽的底端寬度不大于其上端寬度；每個(gè)溝槽內(nèi)均填充有至少兩層填充層，多個(gè)溝槽內(nèi)填充層的數(shù)量相同且每層填充層的上端面高度保持一致，單個(gè)溝槽內(nèi)填充層的摻雜濃度由下至上遞減。本發(fā)明在保證器件外延層摻雜濃度不變的情況下對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，不再要求生長(zhǎng)出摻雜濃度呈線(xiàn)性變化的外延層，不僅降低了工藝難度，而且節(jié)約了生產(chǎn)成本、縮短了加工時(shí)間。