一種高壓型復(fù)合器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111410324.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114203692A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114203692A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L27/07（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊帆;魏小康;肖逸凡;李海松;易揚(yáng)波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫芯朋微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 代理人 姚姣陽(yáng)
地址 214000江蘇省無(wú)錫市無(wú)錫新區(qū)龍山路4號(hào)C幢1301-1304
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種高壓型復(fù)合器件，在高壓JFET器件襯底內(nèi)設(shè)置有高壓JFET漏極耐壓漂移區(qū)及高壓JFET源極區(qū)，還包括高壓JFET漏極有源區(qū)、高壓JFET源極有源區(qū)；二極管結(jié)構(gòu)設(shè)置于高壓JFET漏極有源區(qū)上方、由第一多晶層及第二多晶層構(gòu)成，多晶層間以PN結(jié)相連接；在高壓JFET漏極有源區(qū)與二極管結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有一層?xùn)叛趸铮邏篔FET漏極耐壓漂移區(qū)的上方還設(shè)置一層場(chǎng)氧化物，場(chǎng)氧化物的上端面設(shè)置有高壓JFET柵極。本發(fā)明基于目前常用的高壓JEFT加工工藝，在不增加額外的器件面積及工藝層次的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)包含高壓JFET和穩(wěn)流二極管的復(fù)合器件的制備。