一種內(nèi)部電源產(chǎn)生電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010969609.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112099559B | 公開(公告)日 | 2021-07-27 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112099559B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-27 |
分類號(hào) | G05F1/56(2006.01)I | 分類 | 控制;調(diào)節(jié); |
發(fā)明人 | 管佳偉;史文婷;李海松;易揚(yáng)波;張立新 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 無(wú)錫芯朋微電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 吳敏 |
地址 | 214028江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)龍山路2-18-2401、2402 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種內(nèi)部電源產(chǎn)生電路,包括:第一內(nèi)部電源產(chǎn)生電路,適于根據(jù)外部電源信號(hào)生成第一電源信號(hào),所述第一內(nèi)部電源產(chǎn)生電路包括NMOS管,所述第一電源信號(hào)電壓低于外部電源電壓至少一個(gè)NMOS的閾值電壓;升壓?jiǎn)卧m于將第一電源信號(hào)進(jìn)行升壓處理,輸出升壓信號(hào),所述升壓信號(hào)電壓高于所述第一電源信號(hào)電壓至少一個(gè)NMOS管的閾值電壓;自啟動(dòng)反饋電路,適于根據(jù)升壓信號(hào)以及外部電源信號(hào)生成輸出電壓信號(hào),在輸出電壓信號(hào)達(dá)到目標(biāo)電壓之前,所述輸出電壓信號(hào)跟隨外部電源信號(hào)的大小,并在輸出電壓信號(hào)達(dá)到目標(biāo)電壓之后,所述輸出電壓信號(hào)保持目標(biāo)電壓的大小。本發(fā)明實(shí)施例提供的內(nèi)部電源產(chǎn)生電路,其輸出電壓能夠跟隨外部電源。 |
