一種低氣壓等離子體發(fā)生器的腔室氣壓校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111042766.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113670517A 公開(kāi)（公告）日 2021-11-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113670517A 申請(qǐng)公布日 2021-11-19
分類號(hào) G01L27/00（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 孫金海 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京環(huán)境特性研究所
代理機(jī)構(gòu) 北京格允知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王文雅
地址 100854北京市海淀區(qū)永定路50號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種低氣壓等離子體發(fā)生器的腔室氣壓校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)。該方法包括：通過(guò)預(yù)設(shè)實(shí)驗(yàn)條件，測(cè)量低氣壓等離子體發(fā)生器腔室內(nèi)的真實(shí)電子密度分布；其中，預(yù)設(shè)實(shí)驗(yàn)條件包括預(yù)設(shè)腔室氣壓；基于預(yù)設(shè)腔室氣壓，確定多個(gè)待輸入腔室氣壓；將每一個(gè)待輸入腔室氣壓及其它預(yù)設(shè)實(shí)驗(yàn)條件輸入到預(yù)先構(gòu)建好的仿真模型中，得到與該待輸入腔室氣壓相對(duì)應(yīng)的模擬電子密度分布；基于真實(shí)電子密度分布，在得到的多個(gè)模擬電子密度分布中確定出目標(biāo)模擬電子密度分布，并將與目標(biāo)模擬電子密度分布對(duì)應(yīng)的待輸入腔室氣壓作為腔室的氣壓。通過(guò)該方法可以精確校準(zhǔn)等離子體發(fā)生器的腔室氣壓。