一種高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基片材料的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811358422.0 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN109400175B 公開(公告)日 2019-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN109400175B 申請(qǐng)公布日 2019-03-01
分類號(hào) C04B35/584(2006.01)I 分類 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 張景賢;段于森;劉寧;江東亮 申請(qǐng)(專利權(quán))人 浙江多靈基片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海瀚橋?qū)@硎聞?wù)所(普通合伙) 代理人 曹芳玲;鄭優(yōu)麗
地址 313023 浙江省湖州市吳興區(qū)埭溪鎮(zhèn)美妝小鎮(zhèn)總部大樓4層408-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基片材料的制備方法,包括:以氮化硅粉體或/和硅粉作為原料粉體,和燒結(jié)助劑混合后,得到混合粉體;將混合粉體和粘結(jié)劑混合后造粒,再經(jīng)壓制成型,得到素坯;將所得素坯經(jīng)脫粘、燒結(jié)后,再切割成規(guī)定厚度,得到所述氮化硅陶瓷基片材料。