一種通過碳摻雜提高常壓燒結氮化硅陶瓷熱導率的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201711001140.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109694253B | 公開(公告)日 | 2019-04-30 |
申請公布號 | CN109694253B | 申請公布日 | 2019-04-30 |
分類號 | C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 分類 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
發(fā)明人 | 張景賢;段于森;李曉光 | 申請(專利權)人 | 浙江多靈基片科技有限公司 |
代理機構 | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 曹芳玲;鄭優(yōu)麗 |
地址 | 313023 浙江省湖州市吳興區(qū)埭溪鎮(zhèn)美妝小鎮(zhèn)總部大樓4層408-1 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種通過碳摻雜提高常壓燒結氮化硅陶瓷熱導率的方法,包括:將氮化硅粉體、燒結助劑和碳源混合,得到混合粉體,所述碳源為酚醛樹脂、殼聚糖、無水葡萄糖、麥芽糖、果糖和淀粉中的至少一種,所述燒結助劑是以TiO2為主燒結助劑,以Y2O3、Sc2O3、Sm2O3、Lu2O3、Er2O3、MgO、Mg2Si、MgSiN2中的至少一種為輔燒結助劑的混合物、MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5的至少一種;將所得混合粉體經(jīng)成型、排膠,得到陶瓷坯體;將所得陶瓷坯體置于燒結爐中在1600~1800℃下常壓燒結,得到致密氮化硅陶瓷。?? |
