一種高導熱氮化硅陶瓷基片材料的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811358422.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109400175A | 公開(公告)日 | 2019-03-01 |
申請公布號 | CN109400175A | 申請公布日 | 2019-03-01 |
分類號 | C04B35/584(2006.01)I | 分類 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
發(fā)明人 | 張景賢; 段于森; 劉寧; 江東亮 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江多靈基片科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海瀚橋?qū)@硎聞账ㄆ胀ê匣铮?/td> | 代理人 | 曹芳玲;鄭優(yōu)麗 |
地址 | 313023 浙江省湖州市吳興區(qū)埭溪鎮(zhèn)美妝小鎮(zhèn)總部大樓4層408-1 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種高導熱氮化硅陶瓷基片材料的制備方法,包括:以氮化硅粉體或/和硅粉作為原料粉體,和燒結(jié)助劑混合后,得到混合粉體;將混合粉體和粘結(jié)劑混合后造粒,再經(jīng)壓制成型,得到素坯;將所得素坯經(jīng)脫粘、燒結(jié)后,再切割成規(guī)定厚度,得到所述氮化硅陶瓷基片材料。 |
