一種高方阻金屬化薄膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022688902.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213601763U 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN213601763U 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01G4/015（2006.01）I;H01G4/005（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鐘秀珍;陳有華;李根 申請（專利權(quán)）人 佛山易事達電容材料有限公司
代理機構(gòu) 佛山卓就專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳雪梅
地址 528000廣東省佛山市禪城區(qū)東鄱南路4號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高方阻金屬化薄膜，包括經(jīng)等離子處理的基膜，其特征在于，所述基膜的上方設(shè)有金屬薄膜，所述金屬薄膜包括加厚區(qū)和普通區(qū)，所述加厚區(qū)和所述普通區(qū)連接，且所述加厚區(qū)和所述普通區(qū)設(shè)于所述基膜的上方，所述加厚區(qū)的方阻在2Ω/□到4Ω/□之間，所述普通區(qū)的方阻在100Ω/□到250Ω/□之間。本實用新型通過對基膜進行等離子處理，使得金屬薄膜能夠很好的附著于基膜的表面，不會輕易脫落，使得普通區(qū)的方租能夠達到100Ω/□?250Ω/□之間，提高金屬薄膜的擊穿電壓，提高了電容器的儲能密度，通過在金屬薄膜的表面涂上一層等離子處理的保護油，確保金屬薄膜不會直接與空氣接觸，避免了金屬薄膜的氧化，增加了金屬薄膜的使用壽命。