高功率射頻半導體集成電阻和半導體芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011461676.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112234142B 公開（公告）日 2021-03-02
申請公布號 CN112234142B 申請公布日 2021-03-02
分類號 H01L49/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王靜波;潘俊;李海濤;徐健 申請（專利權）人 南京元絡芯科技有限公司
代理機構 常州市科誼專利代理事務所 代理人 孫彬
地址 210000江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號研創(chuàng)園創(chuàng)智大廈B座601室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種高功率射頻半導體集成電阻和半導體芯片，涉及半導體器件領域，設置在半導體芯片上，包括信號輸入端、信號輸出端、電阻層和等效電容結構，電阻層設置在信號輸入端和信號輸出端之間，等效電容結構與信號輸入端相連接；等效電容結構用于分流，通過在高功率射頻半導體集成電阻的信號輸入端添加等效電容結構，降低輸入端流過電阻的電流密度，并增加高功率射頻半導體集成電阻射頻信號承載能力以及過電流能力，保證半導體芯片的可靠性。??