高功率射頻半導(dǎo)體集成電阻和半導(dǎo)體芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011461676.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112234142A 公開（公告）日 2021-01-15
申請公布號 CN112234142A 申請公布日 2021-01-15
分類號 H01L49/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王靜波;潘俊;李海濤;徐健 申請（專利權(quán)）人 南京元絡(luò)芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州市科誼專利代理事務(wù)所 代理人 南京元絡(luò)芯科技有限公司
地址 210000江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號研創(chuàng)園創(chuàng)智大廈B座601室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種高功率射頻半導(dǎo)體集成電阻和半導(dǎo)體芯片，涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片上，包括信號輸入端、信號輸出端、電阻層和等效電容結(jié)構(gòu)，電阻層設(shè)置在信號輸入端和信號輸出端之間，等效電容結(jié)構(gòu)與信號輸入端相連接；等效電容結(jié)構(gòu)用于分流，通過在高功率射頻半導(dǎo)體集成電阻的信號輸入端添加等效電容結(jié)構(gòu)，降低輸入端流過電阻的電流密度，并增加高功率射頻半導(dǎo)體集成電阻射頻信號承載能力以及過電流能力，保證半導(dǎo)體芯片的可靠性。??