功率半導體裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010657731.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113921602A 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN113921602A 申請公布日 2022-01-11
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/082（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王波;劉鵬飛;夏遠平;顧孜軼 申請（專利權）人 華大半導體有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201203上海市浦東新區(qū)中科路1867號A座9層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種功率半導體裝置，包括有源區(qū)、圍繞有源區(qū)的終端區(qū)以及位于有源區(qū)及終端區(qū)之間的過渡區(qū)，有源區(qū)設置有第一半導體器件，過渡區(qū)設置有第二半導體器件，其中，第一半導體器件的源極及第三槽部內(nèi)的導電層與發(fā)射極電連接，第一槽部內(nèi)的導電層及第二槽部內(nèi)的導電層與柵極電連接，第二半導體器件的源極、第三槽部內(nèi)的導電層及第二槽部與第三槽部之間的阱區(qū)與發(fā)射極電連接，第一槽部內(nèi)的導電層及第二槽部內(nèi)的導電層與柵極電連接。本發(fā)明在器件導通時能夠有效提高器件的開通速度及正面存儲的空穴濃度，降低導通壓降及導通損耗，在器件關斷時能夠快速釋放空穴，降低關斷損耗，提高器件的抗閂鎖能力，提升器件可靠性。