一種功率半導(dǎo)體裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010658683.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113921603A 公開(kāi)（公告）日 2022-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113921603A 申請(qǐng)公布日 2022-01-11
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/082（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王波;劉鵬飛;夏遠(yuǎn)平;顧孜軼 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華大半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201203上海市浦東新區(qū)中科路1867號(hào)A座9層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種功率半導(dǎo)體裝置，包括有源區(qū)、圍繞有源區(qū)的終端區(qū)以及位于有源區(qū)及終端區(qū)之間的過(guò)渡區(qū)，有源區(qū)設(shè)置有第一半導(dǎo)體器件，過(guò)渡區(qū)設(shè)置有第二半導(dǎo)體器件，其中，第一半導(dǎo)體器件的源極及第二槽部?jī)?nèi)的導(dǎo)電層與發(fā)射極電連接，第一槽部?jī)?nèi)的導(dǎo)電層及第三槽部?jī)?nèi)的導(dǎo)電層與柵極電連接，第二半導(dǎo)體器件的源極、第二槽部?jī)?nèi)的導(dǎo)電層及第二槽部與第三槽部之間的阱區(qū)與發(fā)射極電連接，第一槽部?jī)?nèi)的導(dǎo)電層及第三槽部?jī)?nèi)的導(dǎo)電層與柵極電連接。本發(fā)明在器件導(dǎo)通時(shí)能夠有效提高器件正面存儲(chǔ)的空穴濃度，降低導(dǎo)通壓降及導(dǎo)通損耗，在器件關(guān)斷時(shí)能夠快速釋放空穴，降低關(guān)斷損耗，提高器件的抗閂鎖能力，提升器件可靠性。