平面可控硅器件芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320272681.8 申請日 -
公開（公告）號 CN203325910U 公開（公告）日 2013-12-04
申請公布號 CN203325910U 申請公布日 2013-12-04
分類號 H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉紀(jì)云;王仁書;祝方明;陳實 申請（專利權(quán)）人 揚州中芯晶來半導(dǎo)體制造有限公司
代理機構(gòu) 揚州蘇中專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 揚州中芯晶來半導(dǎo)體制造有限公司
地址 225009 江蘇省揚州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)鴻大路29號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種平面可控硅器件芯片，屬于芯片設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域。平面可控硅器件芯片，平面可控硅器件芯片，包括硅襯底片，硅襯底片表面依次設(shè)置的摻氧多晶硅鈍化層、下二氧化硅層、磷硅玻璃層、上二氧化硅層和門極區(qū)引線孔窗口、陰極區(qū)引線孔窗口，其特征是，在所述摻氧多晶硅鈍化層與下二氧化硅層之間設(shè)有摻氮多晶硅層。所述的硅襯底片由N-單晶硅片上設(shè)有隔離擴散的P+區(qū)、陽極P區(qū)、門極P區(qū)及陰極N+區(qū)構(gòu)成。通過本實用新型，芯片表面形成五層保護層：摻氧多晶硅鈍化層、摻氮多晶硅層、下二氧化硅層、磷硅玻璃層、上二氧化硅層。采用本實用新型生產(chǎn)的平面可控硅器件芯片擊穿電壓、觸發(fā)電流等參數(shù)穩(wěn)定。