低阻歐姆接觸的N型硅晶體管管芯

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220451222.1 申請日 -
公開（公告）號 CN202871795U 公開（公告）日 2013-04-10
申請公布號 CN202871795U 申請公布日 2013-04-10
分類號 H01L29/36(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐永平;蔣榮慶;黃仕鋒 申請（專利權(quán)）人 揚州中芯晶來半導體制造有限公司
代理機構(gòu) 揚州蘇中專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 揚州中芯晶來半導體制造有限公司
地址 225009 江蘇省揚州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)鴻大路29號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種低阻歐姆接觸的N型硅晶體管管芯，屬于晶體管管芯技術(shù)領(lǐng)域。主要特點是在硅片背面的中摻雜層與電極間設(shè)置磷離子構(gòu)成的高摻雜層，本實用新型在硅片背面通過注入1×1015cm-2的磷離子，經(jīng)退火后分布在0.2μm的深度內(nèi)，就獲得了5×1019cm-3的平均摻雜濃度，折合電阻率0.0015Ωcm，比原來降低了一個數(shù)量級，提高了材料表面的摻雜濃度，使之與金屬化電極構(gòu)成良好的歐姆接觸，從而有利于提高產(chǎn)品質(zhì)量。