臺(tái)面保護(hù)門極-陰極PN結(jié)的可控硅芯片結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201320272788.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN203325911U 公開（公告）日 2013-12-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN203325911U 申請(qǐng)公布日 2013-12-04
分類號(hào) H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐永平;何春海;王仁書;劉紀(jì)云 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 揚(yáng)州中芯晶來半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 揚(yáng)州蘇中專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 揚(yáng)州中芯晶來半導(dǎo)體制造有限公司
地址 225009 江蘇省揚(yáng)州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)鴻大路29號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 臺(tái)面保護(hù)門極-陰極PN結(jié)的可控硅芯片結(jié)構(gòu)，屬于可控硅芯片設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。包括硅襯底片，其特征是，所述硅襯底片上設(shè)有氧化層、玻璃鈍化臺(tái)面槽和門極引線孔、陰極引線孔，玻璃鈍化臺(tái)面槽內(nèi)設(shè)有鈍化玻璃層。所述硅襯底片為在N-單晶硅片上有完成隔離P+區(qū)、陽(yáng)極P區(qū)和門極P區(qū)擴(kuò)散以及陰極N+區(qū)。所述陰極N+區(qū)與門極P區(qū)間周邊表面PN結(jié)設(shè)置在所述玻璃鈍化臺(tái)面槽內(nèi)。本實(shí)用新型的效果是通過新的可控硅器件芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，解決了芯片的IGT、VGT等參數(shù)的問題，提高了成品率以及后道封裝的適應(yīng)性和可靠性，增加了通態(tài)電流，降低了通態(tài)壓降。同時(shí)采用這樣的結(jié)構(gòu)，可減小芯片面積，提高硅片的利用率，降低芯片生產(chǎn)成本。