平面可控硅器件芯片終端保護(hù)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310184968.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103325667A 公開（公告）日 2013-09-25
申請公布號 CN103325667A 申請公布日 2013-09-25
分類號 H01L21/223(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王仁書;劉紀(jì)云;卞家奇;祝方明 申請（專利權(quán)）人 揚(yáng)州中芯晶來半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 揚(yáng)州蘇中專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 許必元
地址 225009 江蘇省揚(yáng)州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)鴻大路29號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明專利涉及一種平面可控硅器件芯片終端保護(hù)方法，屬于電力電子器件芯片工藝技術(shù)領(lǐng)域。包括以下操作步驟：步驟一、在N-單晶硅片上依次進(jìn)行隔離P+區(qū)、陽極P區(qū)、門極P區(qū)和陰極N+區(qū)擴(kuò)散形成硅襯底片，并在硅襯底片表面形成一定厚度的氧化層；步驟二、將步驟一制得的表面有氧化層的硅襯底片在室溫下用氫氟酸腐蝕溶液去除表面氧化層，制得硅襯底；步驟三、硅襯底表面依次生長摻氧多晶硅層、摻氮多晶硅層；步驟四、摻氮多晶硅層上依次生長下二氧化硅層、磷硅玻璃層、上二氧化硅層；步驟五、將完成步驟四后的硅襯底退火；步驟六、在硅襯底表面刻出門極區(qū)引線孔窗口及陰極區(qū)引線孔窗口。本發(fā)明方法簡單，操作容易。