陣列基板的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811366363.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109300841A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-02-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109300841A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-02-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/77;H01L27/12 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳盈惠;楊桂冬;儲(chǔ)周碩;日比野吉高;孫學(xué)軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中國(guó)銀行股份有限公司雙流分行 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 成都中電熊貓顯示科技有限公司 |
| 地址 | 610200 四川省成都市雙流區(qū)公興街道青欄路1778號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上依次沉積金屬層和氧化銦錫ITO層，并進(jìn)行第一次光刻，以形成包括柵極和存儲(chǔ)電容電極的第一層結(jié)構(gòu)；在第一層結(jié)構(gòu)上依次沉積柵極絕緣層、銦鎵鋅氧化物IGZO半導(dǎo)體層和源漏極金屬層，并進(jìn)行第二次光刻，以形成包括硅島圖形、源極和漏極的第二層結(jié)構(gòu)；在第二層結(jié)構(gòu)上依次形成鈍化層和平坦化層，在形成鈍化層的過(guò)程中使IGZO半導(dǎo)體層形成導(dǎo)體化IGZO，并進(jìn)行第三次光刻以形成導(dǎo)電過(guò)孔；在平坦化層上沉積透明導(dǎo)電薄膜，并進(jìn)行第四次光刻以形成像素電極，并連通像素電極和導(dǎo)電過(guò)孔。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，僅需四道光罩制程順序即可實(shí)現(xiàn)具有高透過(guò)率像素的陣列基板的制作。 |
