一種以濺射ZnO為電子傳輸層的鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201420631749.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN204167368U | 公開(kāi)（公告）日 | 2015-02-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN204167368U | 申請(qǐng)公布日 | 2015-02-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梁祿生;陳偉中;王保增;蔡龍華;陳凱武;蔡耀斌;白華;田清勇;范斌 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 昆山惟華光能有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門(mén)南強(qiáng)之路專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 馬應(yīng)森 |
| 地址 | 361102 福建省廈門(mén)市翔安區(qū)火炬高新區(qū)臺(tái)灣科技企業(yè)育成中心W403 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種以濺射ZnO為電子傳輸層的鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池，涉及太陽(yáng)能電池。從下至上依次設(shè)有銦錫氧化物玻璃襯底、ZnO電子傳輸層、CH3NH3PbI3層、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴傳輸層和金屬背電極層；金屬背電極層為Au背電極層或Ag背電極層。銦錫氧化物玻璃襯底的厚度可為100～150nm。所述ZnO電子傳輸層的厚度可為20～120nm。CH3NH3PbI3層的厚度可為20～120nm。2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴傳輸層的厚度可為40～60nm。金屬背電極層的厚度可為60～150nm。 |
