畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210470170.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103137619B 公開（公告）日 2016-03-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN103137619B 申請(qǐng)公布日 2016-03-30
分類號(hào) H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 韓家榮;歐李啟維;陳柏瑋;許宇禪;黃雋堯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華映光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州君誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華映光電股份有限公司;中華映管股份有限公司
地址 350000 福建省福州市馬尾區(qū)科技園區(qū)興業(yè)路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種畫素結(jié)構(gòu)，其包括一閘極、一電容電極、一電容透明電極、一閘絕緣層、一半導(dǎo)體層、一源極、一汲極、一保護(hù)層以及一畫素電極。閘極與電容電極配置于一基板上。電容透明電極覆蓋電容電極與部分基板。閘絕緣層覆蓋閘極與電容透明電極。閘絕緣層具有一暴露出部分電容透明電極的開口。源極與汲極暴露出部分半導(dǎo)體層。保護(hù)層覆蓋源極、汲極、閘絕緣層以及開口所暴露出的電容透明電極。保護(hù)層具有一暴露出部分汲極的接觸窗，且畫素電極穿過(guò)接觸窗與汲極電性連接。畫素電極與開口所暴露出的電容透明電極之間具有一重迭區(qū)域以構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。