直拉單晶用加熱器及直拉單晶方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510729021.1 申請日 -
公開（公告）號 CN106637387B 公開（公告）日 2019-12-17
申請公布號 CN106637387B 申請公布日 2019-12-17
分類號 C30B15/14（2006.01）; C30B29/06（2006.01） 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳丹 申請（專利權(quán)）人 西安通鑫半導(dǎo)體輔料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安弘理專利事務(wù)所 代理人 羅笛
地址 710300 陜西省西安市戶縣灃京工業(yè)園潭濱北路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的直拉單晶用加熱器，具有相對的第一端部和第二端部，加熱器主體具有多個第一狹槽以及第二狹槽，第一狹槽與多個第二狹槽交替設(shè)置，相鄰的兩個第一狹槽之間形成發(fā)熱單元，發(fā)熱單元包括加熱段，至少一個加熱段具有開口。本發(fā)明公開的直拉單晶方法，包括：裝料；化料以形成熔體；調(diào)節(jié)直晶功率，控制熔體的縱向溫度梯度，將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接，并依次引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑生長及收尾后即得單晶硅。本發(fā)明的直拉單晶用加熱器在發(fā)熱單元的加熱段上具有開口結(jié)構(gòu)，可根據(jù)產(chǎn)品品質(zhì)需求進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，本發(fā)明的直拉單晶方法拉制單晶硅，能形成適應(yīng)高拉速、低雜質(zhì)含量、低缺陷等各種需求的、優(yōu)化的溫度梯度，從而最終獲得高品質(zhì)的單晶硅。