提高拉晶速度的直拉單晶用加熱器及直拉單晶方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510727379.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106637386A 公開（公告）日 2017-05-10
申請公布號 CN106637386A 申請公布日 2017-05-10
分類號 C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳丹 申請（專利權）人 西安通鑫半導體輔料有限公司
代理機構 西安弘理專利事務所 代理人 羅笛
地址 710100 陜西省西安市長安區(qū)航天中路388號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的提高拉晶速度的直拉單晶用加熱器，包括連接板和加熱環(huán)，連接板沿加熱器主體軸向設置，多個加熱環(huán)沿加熱器主體的軸線方向依次設置，加熱環(huán)連接于連接板之間。本發(fā)明的直拉單晶方法，包括：裝料；利用前述提高拉晶速度的直拉單晶用加熱器化料形成熔體；調(diào)節(jié)加熱器功率，控制熔體縱向溫度梯度，熔接，并依次進行引晶、放肩、轉肩、等徑生長及收尾后即得單晶硅。本發(fā)明的提高拉晶速度的直拉單晶用加熱器具有沿加熱器軸向間隔設置的加熱環(huán)，可調(diào)節(jié)加熱區(qū)縱向溫度梯度趨向均勻。本發(fā)明的直拉單晶方法使用前述加熱器可以改善熔體對流，加熱環(huán)的長度與截面可調(diào)整，利用加熱環(huán)發(fā)熱量的不同，可以適應在不同熱場中減小熔體的縱向溫度梯度。