便于調(diào)節(jié)溫度梯度的直拉單晶用加熱器及直拉單晶方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510727377.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106637385A 公開(kāi)（公告）日 2017-05-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN106637385A 申請(qǐng)公布日 2017-05-10
分類號(hào) C30B15/14(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 吳丹 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安通鑫半導(dǎo)體輔料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安弘理專利事務(wù)所 代理人 羅笛
地址 710300 陜西省西安市戶縣灃京工業(yè)園潭濱北路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的便于調(diào)節(jié)溫度梯度的直拉單晶用加熱器，加熱器主體具有相對(duì)的第一端部和第二端部，沿第一端部向第二端部延伸設(shè)置第一狹槽以及沿第二端部向第一端部延伸設(shè)置第二狹槽，第一狹槽和第二狹槽交替設(shè)置，第二狹槽中部分或全部為調(diào)節(jié)發(fā)熱分布的調(diào)節(jié)槽。本發(fā)明的直拉單晶方法，包括步驟：裝料；利用前述加熱器化料形成熔體；調(diào)節(jié)加熱器的功率，控制熔體的縱向溫度梯度，將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接，并依次進(jìn)行引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑生長(zhǎng)以及收尾后即得單晶硅。本發(fā)明的便于調(diào)節(jié)溫度梯度的直拉單晶用加熱器及直拉單晶方法利用調(diào)節(jié)槽調(diào)節(jié)加熱功率，可以獲得不同的溫度分布，能形成適應(yīng)高拉速、低雜質(zhì)含量、低缺陷等各種需求的、優(yōu)化的溫度梯度。