一種半導(dǎo)體二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910073332.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110165035B | 公開(公告)日 | 2020-07-24 |
申請公布號 | CN110165035B | 申請公布日 | 2020-07-24 |
分類號 | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/60 | 分類 | - |
發(fā)明人 | 張娟 | 申請(專利權(quán))人 | 北京新建房地產(chǎn)開發(fā)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京華識知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京敬一科技有限公司;浙江實(shí)利合新材料科技有限公司 |
地址 | 311800 浙江省紹興市諸暨市次塢鎮(zhèn)紅旗村471號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,包括如下步驟:將金屬熱沉焊接在封裝支架,并固定芯片點(diǎn)位;安裝芯片的封裝支架送入回流爐進(jìn)行回流焊接;用進(jìn)行芯片正負(fù)極和封裝支架上金屬管腳連接,將金屬管腳焊接在封裝支架上;進(jìn)行芯片表面的半球硅膠的點(diǎn)膠,并安裝反光杯和負(fù)透鏡的整體連接結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步提供了新型的半導(dǎo)體二極管芯片封裝形式,避免傳統(tǒng)封裝中的諸多問題同時提高了芯片的出光量。 |
