一種復合絕緣層及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510390880.2 申請日 -
公開（公告）號 CN104934514A 公開（公告）日 2015-09-23
申請公布號 CN104934514A 申請公布日 2015-09-23
分類號 H01L33/44(2010.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王立彬;易漢平;張雪亮;張志剛;李寧寧 申請（專利權(quán)）人 廣西清科紫荊科技開發(fā)有限公司
代理機構(gòu) 北京科迪生專利代理有限責任公司 代理人 成金玉;孟卜娟
地址 545699 廣西壯族自治區(qū)柳州市鹿寨縣鹿寨鎮(zhèn)飛鹿大道279號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種復合絕緣層及制備方法，包括：第一絕緣層、中間層和第二絕緣層；第一絕緣層和第二絕緣層起到分離P/N電極以及絕緣的作用，材料由氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鈮(Nb2O5)、氮化硅(SiNx)、氧化鋁(Al2O3)單層或多層化合物組成；中間層具有較高的反射率，反射P型阻擋層和N型電極層之間的光線，另外由于熱膨脹系數(shù)的差異以及多層膜的效果，減少在形成過程中由于生長條件和應(yīng)力的作用而形成的裂痕；中間層的材料為金屬或是具有布拉格反射(DBR)結(jié)構(gòu)的多層膜。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中部分區(qū)域低反射率以及由絕緣層應(yīng)力而產(chǎn)生裂痕的問題。