高效發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520456605.1 申請日 -
公開（公告）號 CN204696143U 公開（公告）日 2015-10-07
申請公布號 CN204696143U 申請公布日 2015-10-07
分類號 H01L33/14(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 易漢平;王立彬 申請（專利權(quán)）人 廣西清科紫荊科技開發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津?yàn)I?？凭曋R產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李莉華
地址 300000 天津市寶坻區(qū)節(jié)能環(huán)保工業(yè)區(qū)天寶南環(huán)路8號401室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型所述高效發(fā)光二極管，其包括襯底，外延生長于襯底上的氮化鎵層，采用電子束蒸發(fā)蒸鍍于氮化鎵層表面的透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜上自透明導(dǎo)電薄膜上端面向下端面方向刻蝕有限流孔；限流孔貫通透明導(dǎo)電薄膜上、下端面；限流孔的橫截面為圓形、弧形或者矩形中的任一種；透明導(dǎo)電薄膜上的限流孔至少有一個。本高效發(fā)光二極管，在現(xiàn)有氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，通過在透明導(dǎo)電薄膜上增加限流孔，對透明導(dǎo)電薄膜相應(yīng)區(qū)域進(jìn)行減薄或刻蝕透處理，來限制透明導(dǎo)電薄膜上橫向電流的過度擴(kuò)展，使通過多量子阱發(fā)光層的電流密度均勻，從而提高內(nèi)量子效率，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。