用于制造RI標(biāo)記化合物的制造方法及制造裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010349468.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111574316A | 公開（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申請公布號 | CN111574316A | 申請公布日 | 2020-08-25 |
| 分類號 | C07B59/00(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 高橋成人 | 申請（專利權(quán)）人 | 新華錦集團(tuán)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 山東誠功律師事務(wù)所 | 代理人 | 新華錦集團(tuán)有限公司 |
| 地址 | 266071山東省青島市市南區(qū)香港中路20號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于RI標(biāo)記化合物制造領(lǐng)域，具體涉及一種用于制造RI標(biāo)記化合物的制造方法及制造裝置；本發(fā)明提供的制造方法包括氣體填充步驟、氣體密封步驟、放射線照射步驟、RI標(biāo)記化合物合成步驟、質(zhì)分離步驟；本發(fā)明提供的制造裝置包括氣體填充部分、氣體密封部分、放射線照射部分、RI標(biāo)記化合物合成部分、雜質(zhì)分離部分；通過本發(fā)明，可以實現(xiàn)靶子氣體的重復(fù)利用，降低制造成本，提高放射性同位素的制造效率，使輻射傷害的可能性降到最低，同時實現(xiàn)低價供給。?? |
