一種微米級片層狀Si/SiO2復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111447558.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114142016A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114142016A 申請公布日 2022-03-04
分類號 H01M4/38（2006.01）I;H01M4/36（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭守武;高生輝;張利鋒;阮歡;高春云;王亞軍;高峰;郝巧娥;王鳳 申請（專利權(quán)）人 陜西榆能集團(tuán)能源化工研究院有限公司
代理機構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 崔方方
地址 719000陜西省榆林市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)榆溪大道南明珠大道東側(cè)榆能大廈1716
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種微米級片層狀Si/SiO2復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用，屬于微納米材料合成領(lǐng)域。本發(fā)明所使用的含硅物質(zhì)為廉價易得的工業(yè)級硅源，將其按比例與氯化鈉和鎂粉混合，加入適量無水乙醇后研磨，真空干燥后得到前驅(qū)體。前驅(qū)體在500～700℃下煅燒后進(jìn)行酸處理，洗滌、干燥后得到微米級片層狀Si/SiO2復(fù)合材料。本發(fā)明原料價格低廉，工藝設(shè)備簡單，整體能耗較低，適合工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明的制備方法，通過改變反應(yīng)參數(shù)可以對Si/SiO2復(fù)合材料的組分比例進(jìn)行調(diào)控，制備出的Si/SiO2復(fù)合材料形貌特征鮮明，呈微米級片層狀。作為電池負(fù)極材料，具有較好的電化學(xué)性能。