氮化鎵基反相器芯片及其形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710122934.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN106910770B | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-05-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106910770B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-15 |
| 分類號(hào) | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/20;H01L21/335 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉春雪;閆發(fā)旺;張峰;趙倍吉;李晨 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 地址 | 201821 上海市嘉定區(qū)普惠路200號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種氮化鎵基反相器芯片及其形成方法，所述氮化鎵基反相器芯片包括：襯底；位于所述襯底上的氮化鎵溝道層；位于所述氮化鎵溝道層上的勢(shì)壘層；位于部分勢(shì)壘層表面的P型III族金屬氮化物層；位于所述P型III族金屬氮化物層表面的第一電極；位于所述勢(shì)壘層表面第二電極、第三電極和第四電極。所述氮化鎵基反相器芯片具有良好的傳輸性和強(qiáng)的帶負(fù)載能力。 |
