氮化鎵基反相器芯片及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710122934.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106910770B 公開（公告）日 2020-05-15
申請公布號 CN106910770B 申請公布日 2020-05-15
分類號 H01L29/778;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/20;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉春雪;閆發(fā)旺;張峰;趙倍吉;李晨 申請（專利權）人 上海新傲科技股份有限公司
代理機構 上海盈盛知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 上海新傲科技股份有限公司
地址 201821 上海市嘉定區(qū)普惠路200號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化鎵基反相器芯片及其形成方法，所述氮化鎵基反相器芯片包括：襯底；位于所述襯底上的氮化鎵溝道層；位于所述氮化鎵溝道層上的勢壘層；位于部分勢壘層表面的P型III族金屬氮化物層；位于所述P型III族金屬氮化物層表面的第一電極；位于所述勢壘層表面第二電極、第三電極和第四電極。所述氮化鎵基反相器芯片具有良好的傳輸性和強的帶負載能力。