氫離子注入劑量檢測(cè)方法以及氫離子注入劑量檢測(cè)系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010384551.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111668128A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111668128A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-15 |
| 分類號(hào) | H01L21/66(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 周平華;李飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 地址 | 201821上海市嘉定區(qū)普惠路200號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種氫離子注入劑量檢測(cè)方法以及氫離子注入劑量檢測(cè)系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)氫離子注入劑量變化的檢測(cè)，從而提高薄膜轉(zhuǎn)移的質(zhì)量，提高半導(dǎo)體器件的制備良率。其中，所述氫離子注入劑量檢測(cè)方法包括以下步驟：提供一襯底，所述襯底內(nèi)注入有氫離子，形成有氫離子注入層；檢測(cè)所述氫離子注入層的厚度變化，并在所述氫離子注入層的厚度發(fā)生的變化超過(guò)預(yù)設(shè)值時(shí)判定所述氫離子的注入劑量發(fā)生變化。?? |
