氫離子注入劑量檢測方法以及氫離子注入劑量檢測系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010384551.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111668128A 公開（公告）日 2020-09-15
申請公布號 CN111668128A 申請公布日 2020-09-15
分類號 H01L21/66(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周平華;李飛 申請（專利權）人 上海新傲科技股份有限公司
代理機構 上海盈盛知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 上海新傲科技股份有限公司
地址 201821上海市嘉定區(qū)普惠路200號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氫離子注入劑量檢測方法以及氫離子注入劑量檢測系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)對氫離子注入劑量變化的檢測，從而提高薄膜轉移的質(zhì)量，提高半導體器件的制備良率。其中，所述氫離子注入劑量檢測方法包括以下步驟：提供一襯底，所述襯底內(nèi)注入有氫離子，形成有氫離子注入層；檢測所述氫離子注入層的厚度變化，并在所述氫離子注入層的厚度發(fā)生的變化超過預設值時判定所述氫離子的注入劑量發(fā)生變化。??