氮化鎵基高電子遷移率晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010493731.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111640671A 公開（公告）日 2020-09-08
申請公布號 CN111640671A 申請公布日 2020-09-08
分類號 H01L21/335(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 閆發(fā)旺;王慶宇;趙倍吉 申請（專利權(quán)）人 上海新傲科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海新傲科技股份有限公司
地址 201821上海市嘉定區(qū)普惠路200號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管及其制備方法，其中所述制備方法包括以下步驟：提供襯底，所述襯底表面設(shè)置有堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括溝道層和勢壘層；在所述堆疊結(jié)構(gòu)的上表面形成導(dǎo)流裝置，所述導(dǎo)流裝置用于擴展所述氮化鎵基高電子遷移率場效應(yīng)管的溝道電場區(qū)域；在所述堆疊結(jié)構(gòu)的上表面形成所述柵極、源極和漏極，且所述柵極的側(cè)壁與所述導(dǎo)流裝置接觸。??