一種高隔離度大規(guī)模陣列合成功率放大器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710795317.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107623161B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN107623161B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01P5/16;H03F3/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈鵬程;孔翔鳴 申請（專利權(quán)）人 廣州程星通信科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務所有限公司 代理人 鄭澤萍;胡輝
地址 510530 廣東省廣州市開發(fā)區(qū)科學城科豐路31號華南新材料創(chuàng)新園G4棟202
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高隔離度大規(guī)模陣列合成功率放大器，包括基座以及基座形成的波導腔，波導腔中設(shè)有多個疊加的卡，卡包括天線電路板以及設(shè)置于天線電路板上的至少一個放大器芯片，天線電路板上設(shè)有至少一個天線，每個放大器芯片的輸入端和輸出端分別與一天線的輸入端和輸出端連接，形成一放大通道，且每個放大通道設(shè)于波導腔內(nèi)設(shè)的一隔離腔室內(nèi)。本發(fā)明節(jié)約了合成空間，在實現(xiàn)大規(guī)模陣列合成的情況下，可以大大減少合成功率放大器的整體空間，降低了放大器芯片間的耦合，實現(xiàn)每個放大通道間的高度隔離，而且抑制了腔體內(nèi)的高階模式，展寬了工作帶寬，可廣泛應用于合成放大器行業(yè)中。