一種碲化鎘薄膜太陽能電池及其模塊
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201620741459.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN205881920U | 公開(公告)日 | 2017-01-11 |
申請公布號(hào) | CN205881920U | 申請公布日 | 2017-01-11 |
分類號(hào) | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李藝明;鄧國云;李浩 | 申請(專利權(quán))人 | 鹽城普蘭特新能源有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廈門市精誠新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 何家富 |
地址 | 224000 江蘇省鹽城市亭湖區(qū)太湖路99號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型涉及太陽能電池領(lǐng)域,特別地涉及一種碲化鎘薄膜太陽能電池及其模塊。本實(shí)用新型公開了一種碲化鎘薄膜太陽能電池,包括前基板,以及沿遠(yuǎn)離前基板的方向依次設(shè)置在前基板上的阻擋層、透明導(dǎo)電層、緩沖層、n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體層、本征硫化鎘層或p型硫化鎘層、接觸層和背電極層。本實(shí)用新型還公開了一種碲化鎘薄膜太陽能電池模塊。本實(shí)用新型通過在前基板上設(shè)置阻擋層,在透明導(dǎo)電層與n型半導(dǎo)體層之間插入一緩沖層,在p型半導(dǎo)體層上設(shè)置本征或p型硫化鎘層,在本征或p型硫化鎘層上形成接觸層,提高了薄膜電池的開路電壓,改善背電極層與吸收層之間的歐姆接觸,提升了薄膜電池的性能。 |
