一種MMC功率模塊過壓晶閘管旁路試驗方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911003783.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110850197B | 公開(公告)日 | 2021-10-15 |
申請公布號 | CN110850197B | 申請公布日 | 2021-10-15 |
分類號 | G01R31/00(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 鄒延生;陳曉鵬;胡雨龍;周競宇;梁寧;劉坤;國建寶;楊光源 | 申請(專利權(quán))人 | 中國南方電網(wǎng)有限責任公司超高壓輸電公司檢修試驗中心 |
代理機構(gòu) | 廣州科粵專利商標代理有限公司 | 代理人 | 鄧潮彬;黃培智 |
地址 | 510663廣東省廣州市蘿崗區(qū)科學城科學大道223號2號樓檢修試驗中心 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種MMC功率模塊過壓晶閘管旁路試驗方法,本發(fā)明通過采用兩個階段試驗來驗證出口端并聯(lián)晶閘管的半橋功率模塊和全橋功率模塊過壓保護能否正確動作,是否能夠保證本體功率模塊發(fā)生故障而不對相鄰功率模塊造成影響,是否能夠在旁路晶閘管擊穿之后系統(tǒng)能夠繼續(xù)穩(wěn)定運行。第一階段試驗主要驗證直流電容器經(jīng)晶閘管短路擊穿后功率模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計和采取的防護措施是否安全有效,晶閘管擊穿之后不發(fā)生固體飛濺,不對水路造成影響,不影響相鄰功率模塊正常運行。第二階段試驗主要驗證晶閘管的擊穿電壓與功率模塊電壓的配合關(guān)系,驗證晶閘管擊穿之后形成可靠通路,IGBT不擊穿,電容不發(fā)生直通放電,不對相鄰子模塊產(chǎn)生影響。 |
