高能硅晶電解質(zhì)及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN200410017221.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN1564365A | 公開（公告）日 | 2005-01-12 |
| 申請公布號 | CN1564365A | 申請公布日 | 2005-01-12 |
| 分類號 | H01M10/08;H01M10/10;H01B1/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳建科 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江美都典當(dāng)有限責(zé)任公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 趙志遠(yuǎn) |
| 地址 | 200135上海市浦東張楊路1647弄3號1105室(桃林公寓) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及高能硅晶電解質(zhì)及其制備方法，該電解質(zhì)采用硅酸鈉溶液10％～30％重量，稀硫酸70％～90％重量為基料，添加占基料0.8～1.5％重量的氫氧化鋰、占基料0.1～0.2％重量的阻氫劑、占基料0.0008～0.0011％重量的硫酸鈷經(jīng)混合制備而成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有環(huán)保、高能以及免維護等特點。 |
