一種帶外延層的溝槽式分離柵IGBT結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110829343.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113488534A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113488534A 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新強;張永利;王丕龍;劉文 申請（專利權(quán)）人 青島佳恩半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭艷春
地址 266100山東省青島市高新區(qū)寶源路780號41號樓103-104單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及IGBT技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種帶外延層的溝槽式分離柵IGBT結(jié)構(gòu)，包括集電極金屬，所述集電極金屬的上方設(shè)置有n型襯底，n型襯底的內(nèi)部設(shè)置有規(guī)律排布的下溝槽和上溝槽，下溝槽內(nèi)部設(shè)有發(fā)射極柵氧化層和下溝槽發(fā)射極多晶層，所述下溝槽頂部設(shè)置有隔離氧化層，所述隔離氧化層上方設(shè)置有n型外延層，所述上溝槽位于n型外延層的內(nèi)部，所述上溝槽的左右兩側(cè)設(shè)有p型阱，所述p型阱內(nèi)置有n+型發(fā)射極與p+型短路區(qū)。該種溝槽式分離柵IGBT結(jié)構(gòu)及其制造方法，該種溝槽式分離柵IGBT結(jié)構(gòu)，通過n型襯底做下溝槽發(fā)射極，在n型外延層做上溝槽柵極，降低IGBT米勒電容，從而降低開關(guān)損耗。