一種溝槽式IGBT結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110829088.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113437142A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437142A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王丕龍;王新強;張永利;楊玉珍 申請（專利權(quán)）人 青島佳恩半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭艷春
地址 266100山東省青島市高新區(qū)寶源路780號41號樓103-104單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種溝槽式IGBT結(jié)構(gòu)及其制造方法，涉及IGBT結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。集電極的上方設(shè)置有n型襯底，n型襯底的內(nèi)部設(shè)置規(guī)律排布的縱向的溝槽,溝槽底部形貌呈半圓柱形，溝槽底部置于深p型阱中，溝槽的內(nèi)側(cè)壁及底壁上形成有柵極氧化層和柵極多晶層，在相鄰的溝槽間設(shè)有淺p型阱，淺p型阱位于溝槽的上方，淺p型阱的深度小于溝槽深度的一半，淺p型阱內(nèi)置n+發(fā)射區(qū)和p+型短路區(qū)，溝槽頂部設(shè)有氧化層和發(fā)射極金屬，氧化層中設(shè)置金屬層形成發(fā)射極和柵極。相對于現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明的有益效果是：在溝槽底部增加低濃度深p型阱，可有效的避免溝槽底部電場過強，同時與原流程兼容，除增加一次注入外，并未增加成本。