一種新型雙倍電流IGBT封裝結構及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010536799.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111653531A 公開（公告）日 2020-09-11
申請公布號 CN111653531A 申請公布日 2020-09-11
分類號 H01L23/367(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王丕龍;朱文輝;王新強;潘慶波 申請（專利權）人 青島佳恩半導體科技有限公司
代理機構 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 青島恒芯半導體有限公司
地址 266000山東省青島市城陽區(qū)長城路89號海峽兩岸產(chǎn)業(yè)園2棟7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種新型雙倍電流IGBT封裝結構，包括基板，所述基板的頂部開設有凹槽，所述凹槽的內(nèi)部自上而下依次設置有導熱層和隔熱層，所述導熱層的的頂部設置有IGBT模塊，所述IGBT模塊的一側設置有電極，隔熱層將IGBT模塊與基板隔離開，IGBT模塊周圍為高溫區(qū)，基板底部為低溫區(qū)，第一導熱管和第二導熱管通過導熱層將IGBT模塊產(chǎn)生的熱量通過內(nèi)部填充的液態(tài)金屬冷卻劑傳遞到基板的底部，基板的底部與散熱塊形成較大熱差，散熱塊將基板底部的熱量傳遞到散熱片，散熱管增大散熱片與空氣的接觸面積，散熱片將熱量交換到溫度較低的空氣中，從而使雙倍電流IGBT封裝結構具有更好的散熱效果，使IGBT模塊能夠承受更大的電流。??