CVD制石墨烯裝置及石墨烯薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110130327.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112938945A 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN112938945A 申請公布日 2021-06-11
分類號 C01B32/186;C30B29/02;C30B30/00 分類 無機化學;
發(fā)明人 張寶勛;李炯利;王旭東;徐梓釗 申請（專利權）人 北京石墨烯技術研究院有限公司
代理機構 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 王勤思
地址 100094 北京市海淀區(qū)永豐基地豐秀中路1號2幢1層01
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種CVD制石墨烯裝置及石墨烯薄膜的制備方法。本發(fā)明提供了一種CVD制石墨烯裝置，包括支架底座、石墨烯生長基底和頂蓋。支架底座為環(huán)狀封閉結構，頂部設有貫穿孔洞，貫穿孔洞一內(nèi)側壁上設有固定柱。石墨烯生長基底的固定端為彎折的、且設有與固定柱相適配的開孔。頂蓋內(nèi)側壁上設有固定板，固定板上設有與固定柱相適配的開孔。使用該裝置時，石墨烯生長基底插入貫穿孔洞，通過固定端的彎折結構將其開孔套設于與被貫穿孔洞相鄰孔洞的固定柱上，頂蓋的固定板插入貫穿孔洞并通過開孔套設于固定柱上，將固定端夾緊。使用該裝置制備的石墨烯薄膜無褶皺，且提高了生長石墨烯裝置的空間利用率。還提供了一種用該裝置制備石墨烯薄膜的方法。