一種LED外延結(jié)構(gòu)及懸掛式芯片結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921568759.4 申請日 -
公開（公告）號 CN210429861U 公開（公告）日 2020-04-28
申請公布號 CN210429861U 申請公布日 2020-04-28
分類號 H01L33/20;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 席慶男;許南發(fā);王曉慧;李志 申請（專利權(quán)）人 元旭半導(dǎo)體科技（天津）有限公司
代理機構(gòu) 濟南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 楊筠
地址 230000 安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)天門路以西,錦繡大道以南天門湖工業(yè)園1幢廠房2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種LED外延結(jié)構(gòu)及懸掛式芯片結(jié)構(gòu)，LED外延結(jié)構(gòu)包括襯底，襯底上設(shè)有第一GaN外延層，第一GaN外延層為具有槽面和梁面的溝槽結(jié)構(gòu)，且槽面和梁面相間設(shè)置，槽面上覆蓋有二氧化硅層或氮化硅層，第一GaN外延層的上方對應(yīng)設(shè)有第二GaN外延層，第二GaN外延層與第一GaN外延層的梁面相接，且第二GaN外延層與二氧化硅層或氮化硅層間具有一間隙，第二GaN外延層上設(shè)有量子阱層，量子阱層上設(shè)有P型GaN層。本實用新型的LED外延結(jié)構(gòu)便于實現(xiàn)懸掛式芯片結(jié)構(gòu)的制備，懸掛式芯片結(jié)構(gòu)便于實現(xiàn)散熱性好、光電性能穩(wěn)定好、壽命長的微小型薄膜芯片的生產(chǎn)，同時能夠有效減少芯片加工工藝流程，提高LED芯片的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。